IBM cria transistor três vezes mais rápido do que os atuais

A IBM anunciou hoje a criação de um transistor capaz de operar a velocidades de até 350 GHz, três vezes mais rápido do que a tecnologia atualmente disponível. O transistor torna possível a fabricação de microchips extremamente rápidos, acelerando a transferência de dados em redes sem fio.

O transistor é um componente essencial de um microchip, responsável por ampliar e conduzir a energia elétrica dentro do chip e usado em toda espécie de aparelho eletrônico, de telefones celulares a computadores. O novo transistor da IBM foi criado para ser empregado em aplicações de comunicações, segundo a empresa.

Por ser constituído de silício-germânio, um composto de dois materiais –silício, o mais usado dos semicondutores, e germânio, um material semelhante ao silício–, o transistor da IBM é bem mais rápido. Quando silício e germânio se combinam em camadas, a comutação é mais rápida.

Os transistores de silício-germânio, também conhecidos como SiGe, podem ser combinados com transistores de silício para criar circuitos de alta freqüência como os usados em telefones móveis, comutadores ópticos e outros aplicativos de comunicação.

A IBM diz acreditar que o uso do transistor pode gerar um chip de comunicação que opere a 150 GHz, ou 150 bilhões de ciclos por segundo, dentro de dois anos. Esse chip exigiria menos energia e teria custo mais baixo, diz a Big Blue. A velocidade dos chips atuais de comunicação é de cerca de 50 GHz.

O uso de um chip baseado nesse transistor teria mais a ver com a adoção de tecnologia mais veloz pelo setor de telecomunicações do que com o desenvolvimento do chip em si, disse um executivo da IBM.

A IBM apresentará detalhes da tecnologia em um estudo no Electron Devices Meeting, em San Francisco, entre 9 e 11 de dezembro, anunciou ele.